D2J080DH2_杏彩体育官网高能半导体

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D2J080DH2

Brief description for the product

D2J080DH2也是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转化率晶状体管（HEMT），具备着高效性率、高增益控制、利于识别、宽带网宽等优缺点，是各式微波加热射频和微波加热利用的期望进行。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	725*2985	mm
典型功率 @6GHz 48V	80	W
效率 @6GHz 48V	73	%
增益 @6GHz 48V	20.6	dB
典型功率 @10GHz 28V	44	W
效率 @10GHz 28V	59	%
增益 @10GHz 28V	15.5	dB

1、有成功率、收获标志标识为相关联 48V 6GHz频点，最好有成功率下的建模数据报告；

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz

2、效应、增加收益标志为相对应的 28V 10GHz频点，最明显效应下的逼真动态数据

仿真测试条件：V_DD = 28 V, I_DQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz