中文版
首页
产品|应用
产品
陶封分立功放管
塑封分立功放管
集成多芯片模块
H系列管芯产品
J系列管芯产品
应用
无线通信
射频能源
多用途市场
客户支持
客户支持
文档中心
在线支持
市场营销
经销商
加入杏彩体育官网
加入杏彩体育官网
人才政策
社会招聘
校园招聘
培训发展
杏彩体育官网 生活
关于杏彩体育官网
关于杏彩体育官网
公司简介
可持续发展
投资者关系
项目承担与合作
奖项与嘉许
新闻动态
联系杏彩体育官网
客户支持
文档中心
在线支持
市场营销
经销商
加入杏彩体育官网
人才政策
社会招聘
校园招聘
培训发展
杏彩体育官网 生活
Demo Report申请
产品|应用
产品
应用
关于杏彩体育官网
公司简介
可持续发展
投资者关系
项目承担与合作
奖项与嘉许
新闻动态
联系杏彩体育官网
中文版
© 2020 苏州杏彩体育官网 高能半导体有限公司. All Rights Reserved.
D2J080DH2
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2J080DH2也是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光学移迁率单晶体管(HEMT),极具更高率、高增益值、也容易适应、光纤宽带宽等特质,是很多徽波射频和徽波技术应用的完美决定。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
725*2985
mm
典型功率 @6GHz 48V
80
W
效率 @6GHz 48V
73
%
增益 @6GHz 48V
20.6
dB
典型功率 @10GHz 28V
44
W
效率 @10GHz 28V
59
%
增益 @10GHz 28V
15.5
dB
1、能力、增益控制标示为相当于 48V 6GHz频点,比较大能力下的仿真技术大数据;
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 264 mA, 频率 = 6 GHz
2、能力、收获识别为各自 28V 10GHz频点,最主要能力下的模拟数据源
仿真测试条件:V
DD
= 28 V, I
DQ
= 264 mA, 频率 = 10 GHz