D2J080DH2


Brief description for the product

D2J080DH2

D2J080DH2也是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光学移迁率单晶体管(HEMT),极具更高率、高增益值、也容易适应、光纤宽带宽等特质,是很多徽波射频和徽波技术应用的完美决定。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、能力、增益控制标示为相当于 48V 6GHz频点,比较大能力下的仿真技术大数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、能力、收获识别为各自 28V 10GHz频点,最主要能力下的模拟数据源

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz