D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2
D2J325DB2是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络移迁率纳米线管（HEMT），享有便捷率、高增益值、易筛选、光纤宽带宽等特征 ，是所有频射和微波射频应该用的非常完美选购。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、热效果、增益控制表示为匹配 48V 6GHz频点，很大热效果下的模拟仿真数据表格；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、工作速率、增益值标记为各自 28V 10GHz频点，极大工作速率下的模型模拟数据文件

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz