D2J325DB2_杏彩体育官网高能半导体

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中文版

D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2

D2J325DB2就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子转至率多晶体管（HEMT），极具便捷率、高收获、方便于筛选、移动宽带宽等亮点，是不同频射和红外光APP的不错会选择。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	945*6075	mm
典型功率 @6GHz 48V	325	W
效率 @6GHz 48V	61	%
增益 @6GHz 48V	17.3	dB
典型功率 @10GHz 28V	180	W
效率 @10GHz 28V	45	%
增益 @10GHz 28V	9.8	dB

1、生产率、增益控制表示为使用 48V 6GHz频点，最高生产率下的模型制作数据分析；

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz

2、错误率、收获标识标牌为表示 28V 10GHz频点，更大错误率下的模拟大数据

仿真测试条件：V_DD = 28 V, I_DQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz