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D2J185DE2
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2J185DE2一款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器件迁入率氯化钠晶体管(HEMT),具备高效化率、高收获、可以配比、联通宽带宽等特征 ,是各项rf射频和微波加热用的理想的选泽。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
920*4250
mm
典型功率 @6GHz 48V
185
W
效率 @6GHz 48V
67
%
增益 @6GHz 48V
18.1
dB
典型功率 @10GHz 28V
100
W
效率 @10GHz 28V
52
%
增益 @10GHz 28V
12.1
dB
1、转化率、增益控制标识图片为相匹配 48V 6GHz频点,主要转化率下的建模大数据;
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 697 mA, 频率 = 6 GHz
2、质量、增益值识别为相对应 28V 10GHz频点,最高质量下的模型仿真大数据
仿真测试条件:V
DD
= 28 V, I
DQ
= 697 mA, 频率 = 10 GHz