D2J185DE2

Brief description for the product

D2J185DE2
D2J185DE2就是一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络转入率氯化钠晶体管（HEMT），具有着快速率、高增益值、方便一致、宽带网宽等特殊性，是各种各样频射和徽波使用的志向选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、错误率、增加收益识别为表示 48V 6GHz频点，极大错误率下的模型制作数据统计；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、生产率、增益控制标签为匹配 28V 10GHz频点，明显生产率下的模拟统计数据

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz