D2J185DE2


Brief description for the product

D2J185DE2

D2J185DE2一款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器件迁入率氯化钠晶体管(HEMT),具备高效化率、高收获、可以配比、联通宽带宽等特征 ,是各项rf射频和微波加热用的理想的选泽。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、转化率、增益控制标识图片为相匹配 48V 6GHz频点,主要转化率下的建模大数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、质量、增益值识别为相对应 28V 10GHz频点,最高质量下的模型仿真大数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz