D2J160DH2_杏彩体育官网高能半导体

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D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2

D2J0160DH2是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件转入率尖晶石管（HEMT），兼有质量率、高增益值、适于适配、宽带网宽等优势特点，是各个rf射频和微波加热用途的完美决定。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	800*4390	mm
典型功率 @6GHz 48V	160	W
效率 @6GHz 48V	69	%
增益 @6GHz 48V	19.6	dB
典型功率 @10GHz 28V	90	W
效率 @10GHz 28V	54	%
增益 @10GHz 28V	13.8	dB

1、利用率、增益控制标记为代表 48V 6GHz频点，非常大利用率下的模型模拟的数据；

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz

2、有吸收率、增益控制标牌为相对 28V 10GHz频点，非常大有吸收率下的仿真模拟统计数据

仿真测试条件：V_DD = 28 V, I_DQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz