D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2
D2J0160DH2就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电渗透率硫化锌管（HEMT），还具有高率、高增益值、容易相配、网络带宽宽等优势，是所有微波通信射频和微波通信APP的人生理想选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸800*4390mm
典型功率 @6GHz 48V160W
效率 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典型功率 @10GHz 28V90W
效率 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、利用率、收获表示为对应着 48V 6GHz频点，最高利用率下的建模参数；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz


2、速度、增加收益标识牌为相应 28V 10GHz频点，大速度下的防真数据统计

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz