D2J140DE2_杏彩体育官网高能半导体

D2J140DE2有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高電子渗透率结晶管（HEMT），兼具极有工作效率率、高增益控制、非常易识别、联通宽带宽等特色，是各项红外光射频和红外光应该用的非常理想考虑。

1、速度、增益值标记为对应着 48V 6GHz频点，更大速度下的模拟仿真大数据；

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ =497 mA, 频率 = 6 GHz

2、质量、增益控制广告为相对 28V 10GHz频点，大质量下的模型仿真数据报告

仿真测试条件：V_DD = 28 V, I_DQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz