D2J140DE2

Brief description for the product

D2J140DE2
D2J140DE2就是一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备迁址率单晶体管（HEMT），享有高热效率的率、高增益值、有利筛选、联通宽带宽等优势，是种种徽波射频和徽波使用的自然确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、质量、收获标志标识为相当于 48V 6GHz频点，极限质量下的模型模拟数值；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、率、增益值安全标识为匹配 28V 10GHz频点，较大 率下的防真参数

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz