D2J090DE2

Brief description for the product

D2J090DE2
D2J090DE2也是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学迁入率多晶体管（HEMT），更具高质量率、高增益控制、可以符合、移动宽带宽等特征 ，是种种rf射频和红外光选用的梦想确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、能力、增加收益标识（标签）为对照 48V 6GHz频点，最明显能力下的建模数据报告；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、有效果、增益值标识（标签）为相对 28V 10GHz频点，极限有效果下的仿真模型数剧

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz