D2J090DE2_杏彩体育官网高能半导体

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中文版

D2J090DE2

Brief description for the product

D2J090DE2

D2J090DE2就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子转迁率氯化钠晶体管（HEMT），极具极有热效率率、高收获、非常容易匹配好、网络带宽宽等特征，是几种频射和红外光选用的非常完美选择。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	790*2835	mm
典型功率 @6GHz 48V	90	W
效率 @6GHz 48V	73	%
增益 @6GHz 48V	18.9	dB
典型功率 @10GHz 28V	50	W
效率 @10GHz 28V	58	%
增益 @10GHz 28V	13.7	dB

1、高高效率、收获标牌为表示 48V 6GHz频点，最大的高高效率下的仿真模型资料；

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ =308 mA, 频率 = 6 GHz

2、利用率、收获标志为相匹配的 28V 10GHz频点，较大利用率下的模型模拟动态数据

仿真测试条件：V_DD = 28 V, I_DQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz