D2J070DH2

Brief description for the product

D2J070DH2
D2J070DH2是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件迁徙率尖晶石管（HEMT），极具提高工作效率率、高增益控制、更能连接、带宽宽等结构特征，是各方面rf射频和红外光利用的非常完美选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、高有效率、增益值标志为表示 48V 6GHz频点，比较大高有效率下的防真数据源；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、高吸收率、增加收益标示牌为对应着 28V 10GHz频点，明显高吸收率下的仿真模型统计资料

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz