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D2J070DH2
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2J070DH2是一个款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高自动化变迁率结晶体管(HEMT),具备的效率高率、高增加收益、便于相匹配、带宽宽等基本特征,是各式微波通信射频和微波通信选用的期望决定。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
655*2725
mm
典型功率 @6GHz 48V
70
W
效率 @6GHz 48V
73
%
增益 @6GHz 48V
20.5
dB
典型功率 @10GHz 28V
38
W
效率 @10GHz 28V
60
%
增益 @10GHz 28V
15.5
dB
1、学习使用率、增益值标贴为代表 48V 6GHz频点,比较大学习使用率下的仿真技术动态数据;
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
=227 mA, 频率 = 6 GHz
2、效果、增益控制标牌为相对应的 28V 10GHz频点,最大的效果下的模型模拟的数据
仿真测试条件:V
DD
= 28 V, I
DQ
= 227 mA, 频率 = 10 GHz