J系列管芯产物

产物型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典范机能@6GHz 48V (W) 效力@6GHz 48V (%) 增益@6GHz 48V (dB) 典范机能@10GHz 28V (W) 效力@10GHz 28V (%) 增益@10GHz 28V (dB) Download
D2J080DH2 220 8.80 725 2985 80 73 20.6 44 59 15.5
D2J325DB2 440 42.24 945 6075 325 61 17.3 180 45 9.8
D2J185DE2 415 23.24 920 4250 185 67 18.1 100 52 12.1
D2J160DH2 295 18.88 800 4390 160 69 19.6 90 54 13.8
D2J140DE2 345 16.56 850 3770 140 70 18.4 75 55 13.0
D2J090DE2 285 10.26 790 2835 90 73 18.9 50 58 13.7
D2J070DH2 210 7.56 655 2725 70 73 20.5 38 60 15.5
注：
1. 效力、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效力下的仿真数据；
2. 效力、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效力下的仿真数据。
    共1页 7条

D2J080DH2

Brief description for the product

D2J080DH2
D2J080DH2也是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁徙率氯化钠晶体管（HEMT），符合高效益、高增益控制、有利于相配、光纤宽带宽等独具特色，是各个频射和徽波灵活运用的远大抱负随意挑选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸725*2985mm
典范功率 @6GHz 48V80W
效力 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典范功率 @10GHz 28V44W
效力 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、保障、收获图案为相对应 48V 6GHz频点，非常大保障下的模型仿真数据统计；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频次 = 6 GHz


2、保障、增加收益标识标牌为匹配 28V 10GHz频点，最多保障下的仿真模拟信息

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频次 = 10 GHz


D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2
D2J325DB2也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂迁徙率纳米线管（HEMT），配备高法律效力、高增益值、可以相配、光纤宽带宽等特点，是常见微波射频射频和微波射频凭借的人生理想辨别。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸945*6075mm
典范功率 @6GHz 48V325W
效力 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典范功率 @10GHz 28V180W
效力 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、权利、增益控制图案为相匹配的 48V 6GHz频点，最大化权利下的模拟数据表格；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频次 = 6 GHz


2、法律请求效力、增益控制标志标识为分别 28V 10GHz频点，最大的法律请求效力下的模型制作数据报告

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频次 = 10 GHz


D2J185DE2

Brief description for the product

D2J185DE2
D2J185DE2是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁徙率多晶体管（HEMT），符合高合作、高增益控制、非常容易配婚、光纤宽带宽等上海特色，是当下频射和微波射频合理利用的人生理想随意挑选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸920*4250mm
典范功率 @6GHz 48V185W
效力 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典范功率 @10GHz 28V100W
效力 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、请求效力待定、增益控制标识（标签）为代表 48V 6GHz频点，主要请求效力待定下的模型模拟数据信息；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频次 = 6 GHz


2、法律追溯力、收获logo为相应 28V 10GHz频点，非常大法律追溯力下的建模数据资料

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频次 = 10 GHz


D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2
D2J0160DH2一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络迁徙率硫化锌管（HEMT），有高效益、高收获、易婚姻配对、联通宽带宽等优势，是几大类频射和徽波根据的远大抱负选取。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸800*4390mm
典范功率 @6GHz 48V160W
效力 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典范功率 @10GHz 28V90W
效力 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、合作、收获表示为代表 48V 6GHz频点，上限合作下的模型模拟数据统计；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频次 = 6 GHz


2、效率、收获标识（标签）为相应的 28V 10GHz频点，最大的效率下的模仿数据信息

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频次 = 10 GHz


D2J140DE2

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D2J140DE2
D2J140DE2有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件迁徙率结晶管（HEMT），有着高合作、高增加收益、有利于相配、移动宽带宽等自己的特色，是多种微波通信射频和微波通信采用的实现选择。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸850*3770mm
典范功率 @6GHz 48V140W
效力 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典范功率 @10GHz 28V75W
效力 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、效应、增益控制LOGO为表示 48V 6GHz频点，非常大效应下的仿真技术统计数据；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频次 = 6 GHz


2、权利待定、增益值标牌为对应着 28V 10GHz频点，最明显权利待定下的模型模拟数据统计

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频次 = 10 GHz


D2J090DE2

Brief description for the product

D2J090DE2
D2J090DE2是一种款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁徙率纳米线管（HEMT），满足高效力待定、高增加收益、方便合婚、网络带宽宽等独特，是各种类型频射和微波射频采取的志向取舍。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸790*2835mm
典范功率 @6GHz 48V90W
效力 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典范功率 @10GHz 28V50W
效力 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、打球、增益值标示牌为代表 48V 6GHz频点，最多打球下的模型制作数据库；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频次 = 6 GHz


2、法律效率、收获安全标识为相应的 28V 10GHz频点，最大化法律效率下的模拟仿真大数据

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频次 = 10 GHz


D2J070DH2

Brief description for the product

D2J070DH2
D2J070DH2也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电迁徙率晶状体管（HEMT），拥有高效益、高增益值、可以相配、网络带宽宽等广州特色，是种类频射和微波通信灵活运用的实现辨别。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸655*2725mm
典范功率 @6GHz 48V70W
效力 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典范功率 @10GHz 28V38W
效力 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、追溯力、增益值logo为相对应的 48V 6GHz频点，最好追溯力下的仿真模拟信息；

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频次 = 6 GHz


2、合作、增益值标记为相匹配 28V 10GHz频点，最大程度合作下的模拟数据资料

仿真测试前提：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频次 = 10 GHz