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J系列管芯产品

J系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型性能@6GHz 48V (W) 效率@6GHz 48V (%) 增益@6GHz 48V (dB) 典型性能@10GHz 28V (W) 效率@10GHz 28V (%) 增益@10GHz 28V (dB) Download
D2J080DH2 220 8.80 725 2985 80 73 20.6 44 59 15.5
D2J325DB2 440 42.24 945 6075 325 61 17.3 180 45 9.8
D2J185DE2 415 23.24 920 4250 185 67 18.1 100 52 12.1
D2J160DH2 295 18.88 800 4390 160 69 19.6 90 54 13.8
D2J140DE2 345 16.56 850 3770 140 70 18.4 75 55 13.0
D2J090DE2 285 10.26 790 2835 90 73 18.9 50 58 13.7
D2J070DH2 210 7.56 655 2725 70 73 20.5 38 60 15.5
注：
1. 效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
2. 效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据。
    共1页 7条

D2J080DH2

Brief description for the product

D2J080DH2
D2J080DH2就是一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电移迁率单晶体管（HEMT），具备着高质量率、高增益控制、利于适应、联通宽带宽等特殊性，是各类频射和红外光技术应用的非常理想选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、有速率、收获广告为相关联 48V 6GHz频点，大有速率下的建模参数；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、转化率、增益控制表示为相当于 28V 10GHz频点，最高转化率下的仿真技术数据统计

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz


D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2
D2J325DB2一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子变迁率多晶体管（HEMT），具备着高效益率、高增加收益、最易搭配、光纤宽带宽等优点，是各方面频射和微波加热使用的自然考虑。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、成功率、收获标识牌为相匹配的 48V 6GHz频点，最高成功率下的建模的数据；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、吸收率、增加收益标签为相应的 28V 10GHz频点，明显吸收率下的建模动态数据

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz


D2J185DE2

Brief description for the product

D2J185DE2
D2J185DE2也是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件变更率纳米线管（HEMT），具备提高热效率率、高增益控制、方便识别、宽带网宽等特殊性，是各个频射和微波射频应该用的期望选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、率、收获LOGO为对照 48V 6GHz频点，较大率下的逼真数据报告；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、率、收获标识图片为各自 28V 10GHz频点，比较大率下的建模数据统计

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz


D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2
D2J0160DH2就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件变更率硫化锌管（HEMT），兼有高效能率、高收获、方便搭配、网络带宽宽等特征 ，是各样微波通信射频和微波通信应用软件的人生理想选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸800*4390mm
典型功率 @6GHz 48V160W
效率 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典型功率 @10GHz 28V90W
效率 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、高效应、收获标牌为相对 48V 6GHz频点，较大 高效应下的仿真模拟统计数据；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz


2、使用率、收获标识图片为使用 28V 10GHz频点，最高使用率下的逼真数据分析

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J140DE2

Brief description for the product

D2J140DE2
D2J140DE2是一个款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络迁入率氯化钠晶体管（HEMT），具备着率高率、高增加收益、有利符合、宽带网络宽等特征 ，是各类rf射频和微波射频应运的人生理想的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、热速度、增益控制标贴为分别 48V 6GHz频点，较大热速度下的仿真软件数据文件；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、能力、增益控制图案为表示 28V 10GHz频点，最高能力下的模拟仿真数值

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz


D2J090DE2

Brief description for the product

D2J090DE2
D2J090DE2是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化挪动率多晶体管（HEMT），包括高质量率、高增益控制、不易适合、网络带宽宽等特质，是各项微波通信射频和微波通信应用的抱负会选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、的效果、收获logo为相应的 48V 6GHz频点，较大 的效果下的模拟资料；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、热效应、增加收益标牌为分别 28V 10GHz频点，最高热效应下的仿真软件数据报告

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J070DH2

Brief description for the product

D2J070DH2
D2J070DH2也是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商转迁率结晶体管（HEMT），存在高率、高增益值、也容易相配、带宽宽等优势特点，是各式rf射频和微波射频运用的理想化考虑。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、工作速率、增加收益标识牌为匹配 48V 6GHz频点，最主要工作速率下的仿真模拟大数据；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、效果、增益值识别为分属 28V 10GHz频点，最高效果下的模拟统计资料

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz


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