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H系列管芯产品

H系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H025DB1 205 2.46 685 1035 25 82 22.7
D2H025DA1 315 2.52 645 825 25 82 21.9
D2H014DA1 350 1.40 695 568 14 83 22.9
D2H010DA1 250 1.00 685 570 10 83 23.7
注：
1. 效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据。

D2H025DB1

Brief description for the product

D2H025DB1
D2H025DB1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化变迁率氯化钠晶体管（HEMT），拥有高热效率的率、高收获、更易适配、光纤宽带宽等的特点，是几种rf射频和微波射频应用软件的人生理想选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*1035mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











吸收率和增益值技术指标为相当于2.6GHz测试测试频点、较大吸收率点下的仿真模拟数据报告

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H025DA1

Brief description for the product

D2H025DA1
D2H025DA1是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电转移率多晶体管（HEMT），享有快速率、高收获、易适合、网络带宽宽等基本特征，是一些频射和微波通信应该用的人生理想选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸645*825mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











有效应和增益控制指标图为对照2.6GHz测量频点、最大化有效应点下的仿真模型参数

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H014DA1

Brief description for the product

D2H014DA1
D2H014DA1有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能变更率结晶管（HEMT），拥有高效化率、高增加收益、更能配备、移动宽带宽等特质，是多种rf射频和微波通信应用软件的非常理想选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸695*568mm
应用电压48V
典型功率14W
效率
83%
增益22.9Db











速度和增益控制质量指标为相匹配2.6GHz测量频点、最主要速度点下的仿真技术数值

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H010DA1

Brief description for the product

D2H010DA1
D2H010DA1就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子变更率氯化钠晶体管（HEMT），享有提高能力率、高收获、方便于配备、带宽宽等性能，是繁多rf射频和徽波用途的非常完美首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*570mm
应用电压48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











能力和增益值标准为相匹配2.6GHz测式频点、更大能力点下的模型仿真统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz


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