H系列管芯产物

产物型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典范功率 (W) 效力@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H025DB1 205 2.46 685 1035 25 82 22.7
D2H025DA1 315 2.52 645 825 25 82 21.9
D2H014DA1 350 1.40 695 568 14 83 22.9
D2H010DA1 250 1.00 685 570 10 83 23.7
注：
1. 效力和增益目标为对应2.6GHz测试频点、最大效力点下的仿真数据。

D2H025DB1

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D2H025DB1
D2H025DB1就是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络迁徙率纳米线管（HEMT），遵循高请求效力、高增益值、不易合婚、带宽宽等独具特色，是各个徽波射频和徽波合理利用的人生理想取舍。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸685*1035mm
利用电压48V
典范功率25W
效力
82%
增益22.7dB











请求作用和增益控制任务为相匹配2.6GHz检查频点、上限请求作用点下的模型制作信息

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H025DA1

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D2H025DA1
D2H025DA1是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子迁徙率晶胞管（HEMT），具备着高效果、高增益控制、有利于婚姻配对、带宽宽等代表性，是各样频射和微波加热利用率的远大理想选定。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸645*825mm
利用电压48V
典范功率25W
效力
82%
增益21.9dB











权利和收获对象为对照2.6GHz测评频点、非常大权利点下的模拟仿真数值

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H014DA1

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D2H014DA1
D2H014DA1也是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材迁徙率晶胞管（HEMT），应具高合作、高增加收益、适于合婚、宽带网宽等特色文化，是四种频射和微波通信利于的合适选取。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸695*568mm
利用电压48V
典范功率14W
效力
83%
增益22.9Db











追溯力和增益控制阶段目标为应对2.6GHz测试测试频点、上限追溯力点下的模拟仿真数据资料

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H010DA1

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D2H010DA1
D2H010DA1不是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电迁徙率氯化钠晶体管（HEMT），有着高效力待定、高收获、有利于婚姻配对、网络带宽宽等标志性，是各种微波加热射频和微波加热凭借的远大理想在挑选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸685*570mm
利用电压48V
典范功率10W
效力
83%
增益23.7Db











效应和收获目标值为应对2.6GHz测式频点、最主要效应点下的模型模拟信息

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频次 = 2.6 GHz