D2H014DA1

Brief description for the product

D2H014DA1
D2H014DA1都是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子转移率结晶管（HEMT），都具有高效能率、高收获、最易输入、移动宽带宽等结构特征，是各式各样微波加热射频和微波加热运用的不错取舍。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸695*568mm
应用电压48V
典型功率14W
效率
83%
增益22.9Db











能力和增益控制要求为相匹配2.6GHz自测频点、上限能力点下的模拟的数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 频率 = 2.6 GHz