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D2H010DA1

Brief description for the product

D2H010DA1
D2H010DA1一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子挪动率晶胞管（HEMT），含有使用率率、高增益控制、有利于符合、移动宽带宽等共同点，是多种rf射频和微波射频采用的抱负选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*570mm
应用电压48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











生产率和增益值指标英文为使用2.6GHz測試频点、上限生产率点下的仿真模拟资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz