• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H010DA1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件转化率结晶管（HEMT），具备高效、性价比最高率、高增加收益、不易适应、联通宽带宽等优点和缺点，是各式各样rf射频和微波加热软件的抱负选泽。