D2H010DA1


Brief description for the product

D2H010DA1

D2H010DA1一款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材变更率氯化钠晶体管(HEMT),包括速度高率、高增益控制、有利于相配、宽带网宽等特殊性,是各种各样的微波通信射频和微波通信APP的抱负考虑。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸685*570mm
应用电压48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











高有效率和增益控制依据为相对应2.6GHz自测频点、更大高有效率点下的模拟信息

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz