杏彩体育官网

D2H620DE1


Brief description for the product

D2H620DE1

D2H620DE1也是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高自动化移迁率结晶管(HEMT),体现了科学规范率、高增加收益、有利于连接、宽带网宽等优势,是各样rf射频和微波加热利用的非常理想会选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











生产率和增益控制评价指标为相对应的2.6GHz测评频点、较大 生产率点下的模拟仿真资料

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz