D2H620DE1


Brief description for the product

D2H620DE1

D2H620DE1都是款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子元器件知识率晶状体管(HEMT),具备提高成功率率、高增益控制、非常易相匹配、宽带网宽等作用,是各种各样微波加热射频和微波加热采用的完美取舍。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











热速率和增益值质量指标为相对应的2.6GHz试验频点、最大化热速率点下的逼真数据库

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz