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D2H620DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H620DE1是一个款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器件知识率氯化钠晶体管(HEMT),包括提高速度率、高增益控制、非常易匹配好、移动宽带宽等共同点,是各类rf射频和红外光采用的完美选定。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
1445*5870
mm
应用电压
48
V
典型功率
620
W
效率
75
%
增益
18.3
Db
效应和增益值指标图为相应2.6GHz公测频点、最高效应点下的建模参数
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz