D2H620DE1


Brief description for the product

D2H620DE1

D2H620DE1是一个款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器件知识率氯化钠晶体管(HEMT),包括提高速度率、高增益控制、非常易匹配好、移动宽带宽等共同点,是各类rf射频和红外光采用的完美选定。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











效应和增益值指标图为相应2.6GHz公测频点、最高效应点下的建模参数

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz