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D2H500DE1


Brief description for the product

D2H500DE1

D2H500DE1都是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高网上挪动率硫化锌管(HEMT),拥有有错误率率、高增加收益、便于输入、移动宽带宽等作用,是一些微波射频射频和微波射频应用领域的自然选购。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











的质量和增益控制要求为相对应2.6GHz测试仪频点、较大的质量点下的仿真模型数据表格

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz