D2H500DE1

Brief description for the product

D2H500DE1
D2H500DE1是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件搬迁率单晶体管（HEMT），存在工作效率高率、高收获、有利于配对、联通宽带宽等性能，是很多rf射频和微波通信使用的人生理想使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











速度和增加收益指标值为相对2.6GHz自测频点、最大程度速度点下的建模数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz