• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H400DE1是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电移动率多晶体管（HEMT），具有着使用率率、高增加收益、方便于识别、宽带网宽等优势，是各类频射和徽波应用领域的非常完美考虑。