D2H400DE1


Brief description for the product

D2H400DE1

D2H400DE1就是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材转至率纳米线管(HEMT),享有便捷率、高增益控制、适于自动匹配、光纤宽带宽等作用,是一些rf射频和红外光软件应用的良好选定 。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1065*5900mm
应用电压48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











错误率和收获技术指标为相关联2.6GHz测试英文频点、大错误率点下的仿真软件大数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频率 = 2.6 GHz