D2H320DB1

Brief description for the product

D2H320DB1
D2H320DB1是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电挪动率结晶管（HEMT），极具快速率、高增加收益、有利适应、宽带网宽等特性，是种种微波射频射频和微波射频运用的很理想使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











使用率和收获质量指标为代表2.6GHz测式频点、最高使用率点下的建模数据显示

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz