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D2H320DB1

Brief description for the product

D2H320DB1
D2H320DB1是一种款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子迁徙率晶胞管（HEMT），都具有极有利用率率、高收获、方便自动匹配、宽带网络宽等结构特征，是各种类型频射和微波加热采用的不错确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











速度和收获因素为相匹配2.6GHz公测频点、最多速度点下的模型模拟参数

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz


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