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D2H320DB1


Brief description for the product

D2H320DB1

D2H320DB1是一个款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子厂迁址率晶胞管(HEMT),体现了高的效率率、高增加收益、非常容易配比、宽带网宽等特质,是几种频射和红外光利用的期望选用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











转化率和增益控制评价指标为使用2.6GHz测量频点、主要转化率点下的仿真技术信息

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz