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D2H320DB1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H320DB1是一个款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子厂迁址率晶胞管(HEMT),体现了高的效率率、高增加收益、非常容易配比、宽带网宽等特质,是几种频射和红外光利用的期望选用。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
915*6075
mm
应用电压
48
V
典型功率
320
W
效率
76
%
增益
20.1
Db
转化率和增益控制评价指标为使用2.6GHz测量频点、主要转化率点下的仿真技术信息
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz
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