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D2H320DE1


Brief description for the product

D2H320DE1

D2H320DE1是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光学变迁率氯化钠晶体管(HEMT),兼具便捷率、高收获、也容易相匹配、网络带宽宽等优势,是几种红外光射频和红外光应运的好采用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











能力和收获指标图为相对应的2.6GHz试验频点、较大能力点下的仿真技术数据报告

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz