D2H320DE1


Brief description for the product

D2H320DE1

D2H320DE1有的是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高网上迁出率结晶管(HEMT),更具有质量、高收获、更易自动匹配、网络带宽宽等特别,是各式各样红外光射频和红外光软件的期望取舍。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











效果和增益值指标值为相应2.6GHz试验频点、比较大效果点下的模拟仿真统计资料

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz