D2H290DE1

Brief description for the product

D2H290DE1
D2H290DE1也是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能迁徙率纳米线管（HEMT），有着高效益率、高增益控制、方便于适配、光纤宽带宽等特殊性，是各式微波射频射频和微波射频应用软件的抱负选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸955*5795mm
应用电压48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz