D2H290DE1_杏彩体育官网高能半导体

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D2H290DE1

Brief description for the product

D2H290DE1就是一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件移迁率硫化锌管（HEMT），包括高效能率、高增益值、有利适应、移动宽带宽等特殊性，是各式各样rf射频和微波射频选用的梦想选泽。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	955*5795	mm
应用电压	48	V
典型功率	290	W
效率	77	%
增益	20.2	dB

效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz