• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H235DE1一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能渗透率晶状体管（HEMT），存在高效能率、高增加收益、有利于符合、宽带网宽等特质，是多种rf射频和微波射频采用的很理想进行。