• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H235DE1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化转迁率多晶体管（HEMT），都具有的效率高率、高增加收益、适于配对、光纤宽带宽等优缺点，是各式各样rf射频和徽波应用领域的很理想使用。