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D2H210DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H210DE1都是款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电商迁出率氯化钠晶体管(HEMT),享有工作效率率、高增益值、利于相配、光纤宽带宽等特别,是各方面微波加热射频和微波加热适用的期望抉择。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
855*4860
mm
应用电压
48
V
典型功率
210
W
效率
80
%
增益
20.5
dB
吸收率和增益值招生指标为分属2.6GHz测量频点、最好吸收率点下的模型模拟数据文件
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 738 mA, 频率 = 2.6 GHz
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