D2H210DE1


Brief description for the product

D2H210DE1

D2H210DE1都是款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电商迁出率氯化钠晶体管(HEMT),享有工作效率率、高增益值、利于相配、光纤宽带宽等特别,是各方面微波加热射频和微波加热适用的期望抉择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸855*4860mm
应用电压48V
典型功率210W
效率
80%
增益20.5dB











吸收率和增益值招生指标为分属2.6GHz测量频点、最好吸收率点下的模型模拟数据文件

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 频率 = 2.6 GHz