• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H210DE1也是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转至率晶状体管（HEMT），都具有高质量率、高增益控制、最易匹配好、移动宽带宽等特质，是所有频射和微波通信广泛应用的自然选用。