D2H185DE1


Brief description for the product

D2H185DE1

D2H185DE1也是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材迁入率结晶体管(HEMT),存在提高热效率率、高增益值、方便适应、宽带网络宽等亮点,是不同的rf射频和红外光利用的理想型会选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











学习效应和增益值依据为相对2.6GHz测量频点、最好学习效应点下的仿真软件信息

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz