D2H185DE1

Brief description for the product

D2H185DE1
D2H185DE1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备转迁率晶胞管（HEMT），含有科学规范率、高增加收益、不易切换、移动宽带宽等作用，是各个微波加热射频和微波加热软件的梦想选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











质量和增加收益统计指标为使用2.6GHz测评频点、极限质量点下的模拟仿真统计数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz