D2H150DE1


Brief description for the product

D2H150DE1

D2H150DE1就是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高微电子转入率结晶管(HEMT),存在高质量率、高收获、可以搭配、宽带网络宽等优点,是多种多样频射和徽波运用的期望的选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











能力和增加收益指标体系为相匹配2.6GHz测评频点、较大能力点下的模仿数剧

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz