D2H150DE1


Brief description for the product

D2H150DE1

D2H150DE1就是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电商转至率氯化钠晶体管(HEMT),兼备提高速度率、高增益值、非常容易符合、光纤宽带宽等优势,是种种rf射频和徽波采用的很理想选取。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











吸收率和收获评价指标为相匹配2.6GHz检验频点、最好吸收率点下的模型制作数值

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz