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D2H150DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H150DE1就是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高微电子转入率结晶管(HEMT),存在高质量率、高收获、可以搭配、宽带网络宽等优点,是多种多样频射和徽波运用的期望的选择。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
795*3410
mm
应用电压
48
V
典型功率
150
W
效率
80
%
增益
20.4
dB
能力和增加收益指标体系为相匹配2.6GHz测评频点、较大能力点下的模仿数剧
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 504 mA, 频率 = 2.6 GHz