D2H135DE1


Brief description for the product

D2H135DE1

D2H135DE1是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光电子转入率结晶管(HEMT),享有极有错误率率、高增益值、方便适配、带宽宽等的特点,是不同的频射和微波通信用的志向选取。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸975*4165mm
应用电压48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











使用率和收获指数为对照2.6GHz测量频点、最大程度使用率点下的仿真技术动态数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz