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D2H135DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H135DE1是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光电子转入率结晶管(HEMT),享有极有错误率率、高增益值、方便适配、带宽宽等的特点,是不同的频射和微波通信用的志向选取。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
975*4165
mm
应用电压
48
V
典型功率
135
W
效率
80
%
增益
21.0
dB
使用率和收获指数为对照2.6GHz测量频点、最大程度使用率点下的仿真技术动态数据
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 442 mA, 频率 = 2.6 GHz
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