D2H135DE1


Brief description for the product

D2H135DE1

D2H135DE1就是款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子厂移动率氯化钠晶体管(HEMT),有着有吸收率、高增益控制、容易切换、网络带宽宽等的特点,是各式rf射频和微波加热软件的志向考虑。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸975*4165mm
应用电压48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











生产率和增加收益完成指标为代表2.6GHz自测频点、非常大生产率点下的仿真软件数据文件

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz