D2H120DE1


Brief description for the product

D2H120DE1

D2H120DE1是款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高微电子知识率氯化钠晶体管(HEMT),还具有快速率、高增益控制、最易输入、移动宽带宽等特性,是各种各样的徽波射频和徽波应该用的非常理想选用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











能力和增益控制标准为使用2.6GHz考试频点、最大的能力点下的建模大数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz