中文版
首页
产品|应用
产品
陶封分立功放管
塑封分立功放管
集成多芯片模块
H系列管芯产品
J系列管芯产品
应用
无线通信
射频能源
多用途市场
客户支持
客户支持
文档中心
在线支持
市场营销
经销商
加入杏彩体育官网
加入杏彩体育官网
人才政策
社会招聘
校园招聘
培训发展
杏彩体育官网 生活
关于杏彩体育官网
关于杏彩体育官网
公司简介
可持续发展
投资者关系
项目承担与合作
奖项与嘉许
新闻动态
联系杏彩体育官网
客户支持
文档中心
在线支持
市场营销
经销商
加入杏彩体育官网
人才政策
社会招聘
校园招聘
培训发展
杏彩体育官网 生活
Demo Report申请
产品|应用
产品
应用
关于杏彩体育官网
公司简介
可持续发展
投资者关系
项目承担与合作
奖项与嘉许
新闻动态
联系杏彩体育官网
中文版
© 2020 苏州杏彩体育官网 高能半导体有限公司. All Rights Reserved.
D2H120DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H120DE1是款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高微电子知识率氯化钠晶体管(HEMT),还具有快速率、高增益控制、最易输入、移动宽带宽等特性,是各种各样的徽波射频和徽波应该用的非常理想选用。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
860*2710
mm
应用电压
48
V
典型功率
120
W
效率
81
%
增益
20.8
dB
能力和增益控制标准为使用2.6GHz考试频点、最大的能力点下的建模大数据
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 383 mA, 频率 = 2.6 GHz