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D2H120DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H120DE1是一个款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高智能电子移动率结晶体管(HEMT),具有着使用率高率、高增益控制、可以适合、联通宽带宽等优点,是多种多样频射和红外光广泛应用的良好采用。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
860*2710
mm
应用电压
48
V
典型功率
120
W
效率
81
%
增益
20.8
dB
有效果和收获标准为应对2.6GHz测评频点、最好有效果点下的逼真统计数据
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 383 mA, 频率 = 2.6 GHz
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