D2H120DE1


Brief description for the product

D2H120DE1

D2H120DE1是一个款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高智能电子移动率结晶体管(HEMT),具有着使用率高率、高增益控制、可以适合、联通宽带宽等优点,是多种多样频射和红外光广泛应用的良好采用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











有效果和收获标准为应对2.6GHz测评频点、最好有效果点下的逼真统计数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz