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D2H095DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H095DE1不是款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光电挪动率硫化锌管(HEMT),具备着高效、性价比最高率、高增益控制、可以相匹配、宽带网宽等优点和缺点,是各式各样频射和红外光软件的比较好选购。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
785*2685
mm
应用电压
48
V
典型功率
95
W
效率
81
%
增益
21.0
dB
成功率和增益值技术指标为相当于2.6GHz测评频点、最高成功率点下的仿真软件信息
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 297 mA, 频率 = 2.6 GHz