D2H095DE1


Brief description for the product

D2H095DE1

D2H095DE1一款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材迁入率结晶体管(HEMT),包括高效化率、高增益控制、方便相匹配、宽带网络宽等作用,是各项频射和微波加热技术应用的很理想选用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸785*2685mm
应用电压48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











学习工作效率和增加收益要求为分属2.6GHz各种测试频点、最主要学习工作效率点下的仿真软件统计资料

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频率 = 2.6 GHz