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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H095DE1就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化迁徙率单晶体管（HEMT），含有快速率、高增益控制、可以搭配、联通宽带宽等特色，是各类rf射频和红外光技术应用的完美采用。