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D2H065DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H065DE1是一个款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高自动化转至率结晶管(HEMT),包括高效化率、高增加收益、可以输入、网络带宽宽等的特点,是各类频射和红外光使用的好挑选。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
880*2000
mm
应用电压
48
V
典型功率
65
W
效率
82
%
增益
21.5
dB
转化率和增益控制统计指标为表示2.6GHz测试图片频点、最主要转化率点下的仿真模拟数据报告
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 189 mA, 频率 = 2.6 GHz
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