• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H065DE1是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机转化率结晶管（HEMT），极具利用率高率、高增加收益、更易相匹配、联通宽带宽等的特点，是各样rf射频和微波射频用的自然进行。