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D2H065DE1


Brief description for the product

D2H065DE1

D2H065DE1是一个款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高自动化转至率结晶管(HEMT),包括高效化率、高增加收益、可以输入、网络带宽宽等的特点,是各类频射和红外光使用的好挑选。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸880*2000mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











转化率和增益控制统计指标为表示2.6GHz测试图片频点、最主要转化率点下的仿真模拟数据报告

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频率 = 2.6 GHz