• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H065DE1是一种款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备转入率单晶体管（HEMT），具高效、性价比最高率、高增加收益、最易连接、宽带网络宽等性能，是多种多样徽波射频和徽波app的非常理想选定 。