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D2H065DB1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H065DB1都是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电商移动率结晶体管(HEMT),包括优质率、高增益值、非常容易相配、带宽宽等基本特征,是各项频射和微波通信利用的满意采用。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
845*1995
mm
应用电压
48
V
典型功率
65
W
效率
82
%
增益
21.8
dB
生产率和增益控制指標为相对应2.6GHz测试仪频点、更大生产率点下的仿真模拟数据文件
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 193 mA, 频率 = 2.6 GHz