D2H065DB1


Brief description for the product

D2H065DB1

D2H065DB1都是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电商移动率结晶体管(HEMT),包括优质率、高增益值、非常容易相配、带宽宽等基本特征,是各项频射和微波通信利用的满意采用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











生产率和增益控制指標为相对应2.6GHz测试仪频点、更大生产率点下的仿真模拟数据文件

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz