D2H065DB1

Brief description for the product

D2H065DB1
D2H065DB1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上转至率晶胞管（HEMT），享有高效、性价比最高率、高收获、易一致、光纤宽带宽等显著特点，是各式rf射频和微波通信技术应用的理想化选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











热效果和增益值指数为相对2.6GHz测量频点、主要热效果点下的逼真数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz