D2H055DB1

Brief description for the product

D2H055DB1
D2H055DB1是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁出率纳米线管（HEMT），还具有高效化率、高增加收益、非常易配备、网络带宽宽等结构特征，是各样rf射频和红外光运用的良好选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











速度和增加收益指标体系为相匹配2.6GHz检测频点、最主要速度点下的逼真数据文件

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz