D2H055DB1


Brief description for the product

D2H055DB1

D2H055DB1就是一款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光电搬迁率多晶体管(HEMT),体现了便捷率、高增益控制、更易自动匹配、带宽宽等基本特征,是各种各样的rf射频和红外光app的人生理想的选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











速度和增加收益完成指标为相应2.6GHz测验频点、大速度点下的模仿数据报告

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz