• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H046DA1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子变更率晶状体管（HEMT），兼备优质率、高增加收益、有利于配对、宽带网宽等优势特点，是各种类型徽波射频和徽波采用的理想的考虑。