• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H046DA1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，移动率晶状体管（HEMT），更具科学规范率、高收获、更能配对、移动宽带宽等性能，是一些rf射频和微波射频应用的很理想选泽。