D2H042DB1

Brief description for the product

D2H042DB1
D2H042DB1是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上转移率氯化钠晶体管（HEMT），都具有高成功率的率、高增益值、方便于连接、网络带宽宽等优势特点，是所有徽波射频和徽波技术应用的很好首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1515mm
应用电压48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











的错误率和增益控制指标英文为分属2.6GHz测试测试频点、较大 的错误率点下的仿真软件数据显示

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频率 = 2.6 GHz