D2H042DB1


Brief description for the product

D2H042DB1

D2H042DB1也是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高智能迁出率结晶体管(HEMT),具备高效性率、高增加收益、易连接、移动宽带宽等特征,是多种多样红外光射频和红外光应运的不错采用。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸785*1515mm
应用电压48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











率和增益控制指标值为相对应2.6GHz测试软件频点、更大率点下的逼真数据统计

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频率 = 2.6 GHz