• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H039DB1有的是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材转迁率结晶体管（HEMT），存在高学习效率率、高增益值、也容易相配、宽带网宽等优势，是多种rf射频和微波射频选用的满意选择。