D2H039DB1

Brief description for the product

D2H039DB1
D2H039DB1不是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机移动率晶胞管（HEMT），具备有极有速率率、高收获、容易相配、宽带网宽等特征，是一些rf射频和微波通信应用的很理想使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1395mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.7dB











转化率和收获标准为分别2.6GHz软件测试频点、大转化率点下的逼真数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 频率 = 2.6 GHz