• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H039DA1不是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电移动率纳米线管（HEMT），有着高效能率、高收获、利于搭配、光纤宽带宽等特征 ，是几种rf射频和微波通信技术应用的理想的选用。