• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H039DA1有的是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上搬迁率单晶体管（HEMT），存在高效能率、高收获、易自动匹配、联通宽带宽等优势特点，是几种频射和微波射频使用的很理想取舍。