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D2H025DB1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_13-Large Signal Model User Guide in Keysight ADS(V02)
D2H025DB1就是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光学搬迁率纳米线管(HEMT),具备着高热效率率、高收获、容易筛选、联通宽带宽等的特点,是各式各样rf射频和微波射频用途的理想型选购。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
685*1035
mm
应用电压
48
V
典型功率
25
W
效率
82
%
增益
22.7
dB
热有效率和增益控制指数公式为相关联2.6GHz測試频点、最好热有效率点下的仿真软件数据分析
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 74 mA, 频率 = 2.6 GHz