D2H025DB1

Brief description for the product

D2H025DB1
D2H025DB1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件转入率单晶体管（HEMT），兼有优质率、高增益值、非常容易配备、带宽宽等特征 ，是繁多频射和微波加热适用的抱负选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*1035mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











生产率和增加收益指標为相对应2.6GHz测试英文频点、很大生产率点下的建模统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz