D2H025DB1


Brief description for the product

D2H025DB1

D2H025DB1就是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高光学搬迁率纳米线管(HEMT),具备着高热效率率、高收获、容易筛选、联通宽带宽等的特点,是各式各样rf射频和微波射频用途的理想型选购。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸685*1035mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











热有效率和增益控制指数公式为相关联2.6GHz測試频点、最好热有效率点下的仿真软件数据分析

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz