D2H025DA1


Brief description for the product

D2H025DA1

D2H025DA1也是款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高网络移迁率尖晶石管(HEMT),有高效性率、高增益值、便于适合、网络带宽宽等优势,是种种微波通信射频和微波通信应用的抱负选定 。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸645*825mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











速率和增加收益技术指标为相当于2.6GHz自测频点、较大速率点下的模型模拟资料

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz