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D2H025DA1

Brief description for the product

D2H025DA1
D2H025DA1是一种款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件迁入率尖晶石管（HEMT），包括有吸收率、高增益值、有利筛选、宽带网宽等特色，是多种频射和徽波运用的完美进行。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸645*825mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











能力和增加收益公式为分别2.6GHz各种测试频点、最明显能力点下的模拟数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz