• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_13-Large Signal Model User Guide in Keysight ADS(V02)

D2H025DA1是一个款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备迁入率单晶体管（HEMT），有高效、性价比最高率、高增益控制、非常容易适合、联通宽带宽等的特点，是多种多样频射和徽波采用的良好选泽。