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H系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H620DE1 1000 80.00 1445 5870 620 75 18.3
D2H500DE1 780 62.40 1225 5900 500 72 18.4
杏彩体育官网:D2H400DE1 620 49.60 1065 5900 400 73 19.2 杏彩体育官网:
杏彩体育官网:D2H320DB1 410 39.36 915 6075 320 76 20.1 杏彩体育官网:
D2H320DE1 490 39.20 935 5870 320 76 19.3 杏彩体育官网:
杏彩体育官网:D2H290DE1 440 35.20 955 5795 290 77 20.2
D2H235DE1 390 28.08 835 5440 135 79 20.3
杏彩体育官网:D2H210DE1 410 24.60 855 4860 210 80 20.5 杏彩体育官网:
D2H185DE1 390 21.84 905 4125 185 80 20.0
杏彩体育官网:D2H150DE1 350 16.80 795 3410 150 80 20.4 杏彩体育官网:
D2H135DE1 335 14.74 975 4165 135 80 21.0
D2H120DE1 355 12.78 860 2710 120 81 20.8 杏彩体育官网:
杏彩体育官网:D2H095DE1 310 9.92 785 2685 95 81 21.0
杏彩体育官网:D2H065DE1 350 6.30 880 2000 65 82 21.5
杏彩体育官网:D2H065DB1 230 6.44 845 1995 65 82 21.8 杏彩体育官网:
杏彩体育官网:D2H055DB1 225 5.40 785 1755 55 82 22.0
杏彩体育官网:D2H046DA1 340 4.76 880 1640 46 82 21.3 杏彩体育官网:
D2H042DB1 210 4.20 785 1515 42 82 22.7
杏彩体育官网:D2H039DB1 215 3.87 785 1395 39 82 22.7
D2H039DA1 335 4.02 845 1092 39 82 22.1
注：
1. 效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据。

D2H620DE1

Brief description for the product

D2H620DE1
D2H620DE1是一个款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络渗透率氯化钠晶体管（HEMT），拥有高效益率、高增益值、方便配备、宽带网络宽等优缺点，是各类频射和红外光应用软件的梦想首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











速度和增加收益标准为相应的2.6GHz测验频点、较大 速度点下的逼真动态数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H500DE1

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D2H500DE1
D2H500DE1有的是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上移迁率单晶体管（HEMT），享有有质量率、高增益控制、不易适应、网络带宽宽等性能，是各式rf射频和徽波应用的理想型确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











率和收获技术指标为使用2.6GHz自测频点、极大率点下的防真数据分析

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H400DE1

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D2H400DE1
D2H400DE1有的是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子迁出率晶胞管（HEMT），具备有吸收率高率、高增益值、有利于配比、网络带宽宽等优势，是各式频射和微波射频软件应用的理想型选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1065*5900mm
应用电压48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











利用率和收获指标体系为使用2.6GHz测试图片频点、大利用率点下的模型制作数据显示

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DB1

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D2H320DB1
D2H320DB1不是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机转至率纳米线管（HEMT），兼有高的效率的率、高增加收益、非常容易连接、宽带网络宽等优势，是各种各样的频射和红外光采用的很理想决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











使用率和增加收益指標为相关联2.6GHz考试频点、很大使用率点下的仿真模拟数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DE1

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D2H320DE1
D2H320DE1就是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，转迁率结晶体管（HEMT），具有着科学规范率、高增益控制、不易相匹配、宽带网宽等特殊性，是各样频射和微波射频适用的满意采用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











吸收率和增益值统计指标为相应2.6GHz测试英文频点、极限吸收率点下的模型仿真数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H290DE1

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D2H290DE1
D2H290DE1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子变更率多晶体管（HEMT），享有高效化率、高增加收益、最易匹配好、移动宽带宽等特别，是各项频射和微波通信选用的理想化的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸955*5795mm
应用电压48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H235DE1

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D2H235DE1
D2H235DE1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线变迁率氯化钠晶体管（HEMT），更具高效、性价比最高率、高收获、非常容易匹配好、移动宽带宽等作用，是各样频射和微波加热应该用的理想的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸835*5440mm
应用电压48V
典型功率235W
效率
79%
增益20.3dB











速率和增加收益公式为相当于2.6GHz测式频点、较大速率点下的防真数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H210DE1

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D2H210DE1
D2H210DE1有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子移迁率纳米线管（HEMT），存在高效、性价比最高率、高增益控制、方便配比、带宽宽等的特点，是多种多样红外光射频和红外光用途的佳选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸855*4860mm
应用电压48V
典型功率210W
效率
80%
增益20.5dB











转化率和增益值的指标为相关联2.6GHz测试英文频点、最明显转化率点下的模拟数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H185DE1

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D2H185DE1
D2H185DE1就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上迁入率多晶体管（HEMT），具备便捷率、高增加收益、有利匹配好、宽带网宽等特质，是各式频射和红外光采用的理想型选定 。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











高使用率和增加收益评价指标为相对应的2.6GHz测量频点、很大高使用率点下的防真数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H150DE1

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D2H150DE1
D2H150DE1是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁出率结晶体管（HEMT），兼具科学规范率、高收获、有利于符合、网络带宽宽等优点，是不同的频射和微波加热利用的期望采用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











效果和收获标准为使用2.6GHz测试软件频点、最多效果点下的防真数据报告

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H135DE1

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D2H135DE1
D2H135DE1一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商搬迁率尖晶石管（HEMT），具更高学习效率、高增益控制、适于输入、网络带宽宽等优点，是几种频射和微波通信应运的志向确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸975*4165mm
应用电压48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











能力和增益控制招生指标为对照2.6GHz测验频点、最主要能力点下的模拟数据资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H120DE1

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D2H120DE1
D2H120DE1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件变迁率单晶体管（HEMT），更具高质量率、高增加收益、方便于自动匹配、联通宽带宽等性能，是所有微波射频射频和微波射频操作的梦想确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











热率和增益控制完成指标为相对应的2.6GHz考试频点、最多热率点下的模拟仿真数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H095DE1

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D2H095DE1
D2H095DE1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，迁入率多晶体管（HEMT），具有着高效性率、高收获、非常容易适配、宽带网宽等优势特点，是一些微波通信射频和微波通信软件应用的梦想选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*2685mm
应用电压48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











吸收率和增益控制公式为分别2.6GHz软件测试频点、更大吸收率点下的模型模拟数据资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DE1

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D2H065DE1
D2H065DE1是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂迁入率多晶体管（HEMT），兼有有的效率、高收获、更易一致、带宽宽等特质，是各式各样rf射频和微波通信运用的很理想会选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*2000mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











的速度和收获评价指标为相当于2.6GHz測試频点、非常大的速度点下的模拟数据资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DB1

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D2H065DB1
D2H065DB1都是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件转入率硫化锌管（HEMT），兼有提高工作效率率、高收获、更易自动匹配、光纤宽带宽等特别，是各项rf射频和微波加热使用的非常完美决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











错误率和增加收益因素为代表2.6GHz测式频点、极限错误率点下的仿真技术数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H055DB1

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D2H055DB1
D2H055DB1一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，移迁率结晶体管（HEMT），都具有速率率、高增益值、也容易一致、带宽宽等共同点，是各方面频射和红外光软件应用的比较好的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











能力和增加收益指标图为对照2.6GHz测量频点、最高能力点下的模型制作数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H046DA1

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D2H046DA1
D2H046DA1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子挪动率尖晶石管（HEMT），享有极有效果率、高增益值、更易适配、带宽宽等特质，是各式频射和微波射频软件的理想化首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*1640mm
应用电压48V
典型功率46W
效率
82%
增益21.3dB











效果和增加收益指数公式为相应2.6GHz软件测试频点、最大程度效果点下的仿真软件大数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H042DB1

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D2H042DB1
D2H042DB1就是一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线迁入率多晶体管（HEMT），更具快速率、高收获、利于符合、宽带网宽等特征 ，是所有微波加热射频和微波加热用途的抱负使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1515mm
应用电压48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











效果和增益控制指标英文为分属2.6GHz考试频点、最主要效果点下的仿真模型资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DB1

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D2H039DB1
D2H039DB1一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件挪动率纳米线管（HEMT），兼具的效率高率、高收获、易配备、网络带宽宽等亮点，是所有rf射频和微波加热app的佳决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1395mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.7dB











利用率和增益控制因素为相当于2.6GHz各种测试频点、最多利用率点下的模拟仿真资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DA1

Brief description for the product

D2H039DA1
D2H039DA1就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能转入率硫化锌管（HEMT），有高效性率、高增益值、不易适合、网络带宽宽等特征，是各种各样的频射和微波射频操作的理想化选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1092mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.1dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真模型试验条件：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 声音频率 = 2.6 GHz