H系列管芯产物

产物型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典范功率 (W) 效力@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H620DE1 1000 80.00 1445 5870 620 75 18.3
D2H500DE1 780 62.40 1225 5900 500 72 18.4
D2H400DE1 620 49.60 1065 5900 400 73 19.2
D2H320DB1 410 39.36 915 6075 320 76 20.1
D2H320DE1 490 39.20 935 5870 320 76 19.3
D2H290DE1 440 35.20 955 5795 290 77 20.2
D2H235DE1 390 28.08 835 5440 135 79 20.3
D2H210DE1 410 24.60 855 4860 210 80 20.5
D2H185DE1 390 21.84 905 4125 185 80 20.0
D2H150DE1 350 16.80 795 3410 150 80 20.4
D2H135DE1 335 14.74 975 4165 135 80 21.0
D2H120DE1 355 12.78 860 2710 120 81 20.8
D2H095DE1 310 9.92 785 2685 95 81 21.0
D2H065DE1 350 6.30 880 2000 65 82 21.5
D2H065DB1 230 6.44 845 1995 65 82 21.8
D2H055DB1 225 5.40 785 1755 55 82 22.0
D2H046DA1 340 4.76 880 1640 46 82 21.3
D2H042DB1 210 4.20 785 1515 42 82 22.7
D2H039DB1 215 3.87 785 1395 39 82 22.7
D2H039DA1 335 4.02 845 1092 39 82 22.1
注：
1. 效力和增益目标为对应2.6GHz测试频点、最大效力点下的仿真数据。

D2H620DE1

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D2H620DE1
D2H620DE1有的是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂迁徙率单晶体管（HEMT），享有高追溯力、高增益控制、非常容易配婚、联通宽带宽等特色化，是多种微波加热射频和微波加热采取的人生理想挑。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸1445*5870mm
利用电压48V
典范功率620W
效力
75%
增益18.3Db











效率和增益控制目标值为匹配2.6GHz检验频点、明显效率点下的仿真软件数据统计

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H500DE1

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D2H500DE1
D2H500DE1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线迁徙率氯化钠晶体管（HEMT），有着高效益、高增益值、有利配婚、网络带宽宽等的特色，是特殊频射和徽波利于的胸怀大志区分。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸1225*5900mm
利用电压48V
典范功率500W
效力
72%
增益18.4Db











效率和增加收益制定目标为对照2.6GHz测试英文频点、最高效率点下的模型仿真数据源

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H400DE1

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D2H400DE1
D2H400DE1是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，迁徙率晶胞管（HEMT），遵循高效应、高收获、利于婚姻配对、带宽宽等特色化，是各项微波射频射频和微波射频使用的志向做好。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸1065*5900mm
利用电压48V
典范功率400W
效力
73%
增益19.2Db











法律物上请求权和增益值关键为相匹配2.6GHz各种测试频点、极限法律物上请求权点下的建模数据文件

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H320DB1

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D2H320DB1
D2H320DB1是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商迁徙率多晶体管（HEMT），要具备高物上请求权、高收获、也容易婚姻配对、网络带宽宽等少数民族特色，是各样微波通信射频和微波通信用的人生理想选取。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸915*6075mm
利用电压48V
典范功率320W
效力
76%
增益20.1Db











打球待定和收获任务为相匹配2.6GHz测试测试频点、很大打球待定点下的仿真模型统计数据

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H320DE1

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D2H320DE1
D2H320DE1一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电迁徙率多晶体管（HEMT），提供高物上请求权、高增加收益、更能婚姻配对、宽带网络宽等独具特色，是多种频射和微波通信利于的实现随意挑选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸935*5870mm
利用电压48V
典范功率320W
效力
76%
增益19.3Db











保障和增益控制计划为相应的2.6GHz测验频点、较大保障点下的仿真模型数据信息

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H290DE1

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D2H290DE1
D2H290DE1就是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，迁徙率纳米线管（HEMT），遵循高效益、高增益控制、非常易配婚、带宽宽等独特的，是各个微波加热射频和微波加热根据的实现选好。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸955*5795mm
利用电压48V
典范功率290W
效力
77%
增益20.2dB











效力和增益目标为对应2.6GHz测试频点、最大效力点下的仿真数据

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H235DE1

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D2H235DE1
D2H235DE1都是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线迁徙率纳米线管（HEMT），配备高效力待定、高增益值、更能婚姻配对、带宽宽等少数民族特色，是种类红外光射频和红外光巧用的远大理想挑选到。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸835*5440mm
利用电压48V
典范功率235W
效力
79%
增益20.3dB











打球和增加收益指标为各自2.6GHz考试频点、最大的打球点下的仿真技术数据报告

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H210DE1

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D2H210DE1
D2H210DE1有的是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能迁徙率晶状体管（HEMT），有高请求效力、高增益控制、最易婚姻配对、光纤宽带宽等独特的，是常见微波射频射频和微波射频根据的豪情壮志筛选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸855*4860mm
利用电压48V
典范功率210W
效力
80%
增益20.5dB











效果和增益值总体目标为相当于2.6GHz测式频点、最多效果点下的模仿参数

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H185DE1

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D2H185DE1
D2H185DE1不是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化迁徙率多晶体管（HEMT），兼具高作用、高收获、适于相配、网络带宽宽等少数民族特色，是各个频射和微波通信进行的远大理想选择。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸905*4125mm
利用电压48V
典范功率185W
效力
80%
增益20.0dB











物上请求权和增益控制目标值为相匹配的2.6GHz检查频点、最高物上请求权点下的模拟仿真统计数据

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H150DE1

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D2H150DE1
D2H150DE1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商迁徙率晶胞管（HEMT），具备着高物上请求权、高增益控制、易婚姻配对、带宽宽等杭州特色，是各项徽波射频和徽波利用率的人生理想辨别。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸795*3410mm
利用电压48V
典范功率150W
效力
80%
增益20.4dB











打球和收获受众为分别2.6GHz测验频点、较大打球点下的仿真模拟数据报告

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H135DE1

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D2H135DE1
D2H135DE1就是一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子迁徙率尖晶石管（HEMT），要具备高合作、高收获、非常易婚姻配对、宽带网络宽等特性，是各个rf射频和微波加热利于的合适选用。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸975*4165mm
利用电压48V
典范功率135W
效力
80%
增益21.0dB











合作和增加收益指标为相匹配2.6GHz检测频点、最大化合作点下的模拟数据表格

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H120DE1

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D2H120DE1
D2H120DE1是一种款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化迁徙率晶胞管（HEMT），有着高作用、高收获、可以合婚、联通宽带宽等独特，是多种频射和红外光回收利用的胸怀大志选购。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸860*2710mm
利用电压48V
典范功率120W
效力
81%
增益20.8dB











权利待定和增益控制对方为对应着2.6GHz测试方法频点、最高权利待定点下的仿真模型数据分析

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H095DE1

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D2H095DE1
D2H095DE1就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件迁徙率结晶管（HEMT），有着高效益、高收获、不易合婚、宽带网络宽等广州特色，是各种rf射频和微波加热运用的人生理想区分。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸785*2685mm
利用电压48V
典范功率95W
效力
81%
增益21.0dB











效应和增益值目的为相应2.6GHz测试软件频点、较大 效应点下的逼真数据报告

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H065DE1

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D2H065DE1
D2H065DE1也是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁徙率多晶体管（HEMT），拥有高追溯力、高增加收益、利于配婚、宽带网络宽等一大特色，是常见微波射频射频和微波射频进行的理想选择。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸880*2000mm
利用电压48V
典范功率65W
效力
82%
增益21.5dB











保障和增益值总体目标为相匹配2.6GHz测评频点、最大程度保障点下的建模信息

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H065DB1

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D2H065DB1
D2H065DB1也是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机迁徙率尖晶石管（HEMT），具备条件高权利、高增益值、有利于婚姻配对、宽带网络宽等独特的，是各种频射和微波通信通过的壮志做好。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸845*1995mm
利用电压48V
典范功率65W
效力
82%
增益21.8dB











效应和增益值的目标为相当于2.6GHz测量频点、最大的效应点下的模仿数剧

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H055DB1

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D2H055DB1
D2H055DB1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机迁徙率单晶体管（HEMT），掌握高打球、高增益控制、易合婚、宽带网络宽等广州特色，是各样rf射频和红外光充分利用的人生理想区分。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸785*1755mm
利用电压48V
典范功率55W
效力
82%
增益22.0dB











保障和增益值对方为相对应的2.6GHz测评频点、极大保障点下的仿真技术数据文件

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H046DA1

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D2H046DA1
D2H046DA1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上迁徙率尖晶石管（HEMT），配备高效力待定、高增加收益、便于合婚、光纤宽带宽等少数民族特色，是各样rf射频和红外光应用的志向调选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸880*1640mm
利用电压48V
典范功率46W
效力
82%
增益21.3dB











合作和增益值对象为相关联2.6GHz测试仪频点、最多合作点下的模型模拟的数据

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H042DB1

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D2H042DB1
D2H042DB1有的是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上迁徙率硫化锌管（HEMT），满足高效率、高收获、非常容易婚姻配对、网络带宽宽等特色化，是四种徽波射频和徽波根据的胸怀大志做好。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸785*1515mm
利用电压48V
典范功率42W
效力
82%
增益22.7dB











效应和收获对方为分别2.6GHz公测频点、最好效应点下的逼真参数

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H039DB1

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D2H039DB1
D2H039DB1一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电迁徙率结晶管（HEMT），具有高效应、高增益值、容易相配、网络带宽宽等广州特色，是四种频射和微波加热借助的胸怀大志购选。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸785*1395mm
利用电压48V
典范功率39W
效力
82%
增益22.7dB











效应和增加收益梦想为分属2.6GHz测评频点、最主要效应点下的建模数剧

仿真测试前提：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 频次 = 2.6 GHz


D2H039DA1

Brief description for the product

D2H039DA1
D2H039DA1就是一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材迁徙率结晶体管（HEMT），必备条件高效应、高增益控制、有利相配、网络带宽宽等杭州特色，是几大类微波射频射频和微波射频利于的壮志区分。

Operating Characteristics

参数值单元
产物尺寸845*1092mm
利用电压48V
典范功率39W
效力
82%
增益22.1dB











效力和增益目标为对应2.6GHz测试频点、最大效力点下的仿真数据

模型仿真考试先决条件：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 频度 = 2.6 GHz