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H系列管芯产品

H系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H620DE1 1000 80.00 1445 5870 620 75 18.3
D2H500DE1 780 62.40 1225 5900 500 72 18.4
D2H400DE1 620 49.60 1065 5900 400 73 19.2
D2H320DB1 410 39.36 915 6075 320 76 20.1
D2H320DE1 490 39.20 935 5870 320 76 19.3
D2H290DE1 440 35.20 955 5795 290 77 20.2
D2H235DE1 390 28.08 835 5440 135 79 20.3
D2H210DE1 410 24.60 855 4860 210 80 20.5
D2H185DE1 390 21.84 905 4125 185 80 20.0
D2H150DE1 350 16.80 795 3410 150 80 20.4
D2H135DE1 335 14.74 975 4165 135 80 21.0
D2H120DE1 355 12.78 860 2710 120 81 20.8
D2H095DE1 310 9.92 785 2685 95 81 21.0
D2H065DE1 350 6.30 880 2000 65 82 21.5
D2H065DB1 230 6.44 845 1995 65 82 21.8
D2H055DB1 225 5.40 785 1755 55 82 22.0
D2H046DA1 340 4.76 880 1640 46 82 21.3
D2H042DB1 210 4.20 785 1515 42 82 22.7
D2H039DB1 215 3.87 785 1395 39 82 22.7
D2H039DA1 335 4.02 845 1092 39 82 22.1
注：
1. 效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据。

D2H620DE1

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D2H620DE1
D2H620DE1有的是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线知识率结晶体管（HEMT），含有高高质量的率、高增益控制、非常容易适应、联通宽带宽等性能，是各式各样频射和微波加热应该用的理想的确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











利用率和增益控制评价指标为相当于2.6GHz自测频点、最大化利用率点下的防真数据分析

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H500DE1

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D2H500DE1
D2H500DE1就是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电移迁率纳米线管（HEMT），包括快速率、高增益控制、有利于相匹配、移动宽带宽等基本特征，是各类徽波射频和徽波应该用的不错考虑。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











学习的效率和增益值统计指标为相应的2.6GHz测试英文频点、最好学习的效率点下的仿真模拟数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H400DE1

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D2H400DE1
D2H400DE1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子移动率结晶管（HEMT），具有着便捷率、高增加收益、易相匹配、带宽宽等性能，是各种各样频射和微波加热运用的期望选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1065*5900mm
应用电压48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











的吸收率和增益控制指标值为相应的2.6GHz测试英文频点、最明显的吸收率点下的防真数值

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DB1

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D2H320DB1
D2H320DB1也是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子转迁率结晶体管（HEMT），更具优质率、高收获、更能自动匹配、带宽宽等优势特点，是繁多红外光射频和红外光应该用的佳选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











生产率和增益控制统计指标为各自2.6GHz测量频点、较大生产率点下的模型仿真统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DE1

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D2H320DE1
D2H320DE1都是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备移迁率多晶体管（HEMT），兼备高效益率、高增益控制、适于切换、移动宽带宽等特色，是一些徽波射频和徽波应用的理想化选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











吸收率和增益值指标图为相关联2.6GHz測試频点、极限吸收率点下的建模动态数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H290DE1

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D2H290DE1
D2H290DE1是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转至率晶状体管（HEMT），兼有高效、性价比最高率、高收获、适于搭配、光纤宽带宽等性能，是不同的rf射频和徽波用途的理想型进行。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸955*5795mm
应用电压48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H235DE1

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D2H235DE1
D2H235DE1都是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电搬迁率结晶体管（HEMT），具有着优质率、高增益值、方便相匹配、宽带网络宽等作用，是种种微波通信射频和微波通信选用的很理想进行。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸835*5440mm
应用电压48V
典型功率235W
效率
79%
增益20.3dB











使用率和增益值质量指标为使用2.6GHz测评频点、最大的使用率点下的建模数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H210DE1

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D2H210DE1
D2H210DE1也是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高電子转迁率纳米线管（HEMT），更具高效化率、高增加收益、更能配对、宽带网络宽等共同点，是多种多样频射和红外光运用的期望使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸855*4860mm
应用电压48V
典型功率210W
效率
80%
增益20.5dB











速度和增益值指标英文为分属2.6GHz测试测试频点、最高速度点下的仿真软件数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H185DE1

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D2H185DE1
D2H185DE1是一种款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转入率结晶管（HEMT），有着高效性率、高收获、不易适合、光纤宽带宽等显著特点，是各类微波通信射频和微波通信用的期望选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











吸收率和增加收益标准为相应的2.6GHz软件测试频点、很大吸收率点下的模型仿真数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H150DE1

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D2H150DE1
D2H150DE1是一种款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子移动率晶胞管（HEMT），兼备高效、性价比最高率、高增益值、更能匹配好、联通宽带宽等优势特点，是种种频射和微波射频应用领域的人生理想取舍。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











效果和增益控制依据为匹配2.6GHz测试测试频点、极限效果点下的仿真模型数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H135DE1

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D2H135DE1
D2H135DE1有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件变更率纳米线管（HEMT），具备有便捷率、高增益控制、方便识别、网络带宽宽等的特点，是种种微波通信射频和微波通信软件的理想的选购。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸975*4165mm
应用电压48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











效果和增益控制评价指标为对照2.6GHz检查频点、很大效果点下的模型模拟统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H120DE1

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D2H120DE1
D2H120DE1是一种款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子转移率纳米线管（HEMT），极具高效能率、高增加收益、方便于筛选、带宽宽等作用，是很多频射和红外光选用的期望首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











使用率和增益控制公式为代表2.6GHz测试方法频点、最高使用率点下的模型仿真统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H095DE1

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D2H095DE1
D2H095DE1就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化迁入率结晶体管（HEMT），都具有极有速度率、高增益控制、最易适应、网络带宽宽等特征，是各种各样的频射和微波射频应用的佳选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*2685mm
应用电压48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











效果和增加收益目标为相对应的2.6GHz测试软件频点、比较大效果点下的逼真数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DE1

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D2H065DE1
D2H065DE1是一个款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络移迁率硫化锌管（HEMT），包括高率、高增益控制、方便配备、宽带网宽等基本特征，是各种类型微波射频射频和微波射频应用的佳选定 。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*2000mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











错误率和增益值指标图为对应着2.6GHz测试软件频点、最大的错误率点下的仿真软件动态数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DB1

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D2H065DB1
D2H065DB1是一种款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术转移率晶胞管（HEMT），享有高效性率、高增益控制、利于适合、网络带宽宽等结构特征，是繁多频射和微波射频app的良好确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











的成功率和增益值标准为对照2.6GHz检查频点、非常大的成功率点下的模型制作数据源

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H055DB1

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D2H055DB1
D2H055DB1都是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上知识率尖晶石管（HEMT），具极有高质量率、高收获、最易自动匹配、宽带网络宽等特征 ，是各项频射和微波通信应该用的良好挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











学习成功率和收获指数公式为分属2.6GHz测试测试频点、明显学习成功率点下的防真数据分析

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H046DA1

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D2H046DA1
D2H046DA1都是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，渗透率硫化锌管（HEMT），包括有使用率、高增加收益、有利切换、光纤宽带宽等特殊性，是繁多rf射频和微波通信使用的满意选定 。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*1640mm
应用电压48V
典型功率46W
效率
82%
增益21.3dB











的效果和增益控制因素为各自2.6GHz各种测试频点、最多的效果点下的模仿数据信息

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H042DB1

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D2H042DB1
D2H042DB1也是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术转化率结晶管（HEMT），具高效、性价比最高率、高增益控制、方便配备、移动宽带宽等优缺点，是所有频射和微波射频APP的理想的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1515mm
应用电压48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











使用率和增益控制因素为对照2.6GHz检测频点、上限使用率点下的仿真技术数据文件

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DB1

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D2H039DB1
D2H039DB1就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材变更率纳米线管（HEMT），都具有提高工作效率率、高增益值、最易一致、宽带网宽等显著特点，是各方面微波通信射频和微波通信用的比较好选购。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1395mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.7dB











热能力和增益控制指数公式为对应着2.6GHz测试方法频点、最多热能力点下的逼真数据文件

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DA1

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D2H039DA1
D2H039DA1都是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂变迁率氯化钠晶体管（HEMT），体现了有热效率、高增加收益、方便筛选、宽带网宽等优缺点，是多种多样rf射频和微波射频选用的很好首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1092mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.1dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

模型制作测验能力：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 次数 = 2.6 GHz


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